机房防雷接地工程设计方案

  扩产和市场落地火热也快速体现在相关公司业绩中。无论是国际巨头还是国内A股上市公司，2023年与碳化硅相关的业绩都出现了较快成长态势。

  在电动汽车、电力设备和能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺， 2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。

  近年来，随着5G的普及, MIMO被引入的情况逐渐增多，以实现5G的高速、大容量通信、多连接和低延迟的特性，但由于它需要多台收发信号的设备，因此对无线通信电路模块化需求日益增加。

  截至2023年，1200V碳化硅器件累计出货超过了2400万颗，得到了新能源汽车、消费电子以及工业市场的客户好评。其中SiC MOSFET营收迅速提升，相比2022年，SiC MOSFET创造的营收从17%增长至50%。

  结合全球功率半导体市场数据推算，2022年SiC功率半导体的渗透率为4.85%，2023年渗透率为6.53%，2028年预计将达到18.58%左右。

  2023年业内有多家企业陆续推出8英寸碳化硅衬底，成为市场热点，呈现出加速替代6英寸衬底的势头。我们大家都认为，碳化硅行业的下半场就是8英寸的时代，谁的8英寸衬底先出货，谁就能更好地把握住时代机遇。

  该文献进一步透露，实现这一器件所采用的氮化镓外延材料结构包括：1.5μm薄层缓冲层和AlGaN/GaN异质结结构。

  为了满足一直增长的碳化硅器件需求，我们正在落实一项多供应商战略，从而在全世界内保障对于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源

  从行业趋势看，SiC上车是大势所趋。尽管特斯拉曾在2023年3月的投资者大会上表示，将减少75%的SiC用量，一度引发SiC未来发展前途不明的猜测，但后续汽车市场和供应商都用实际行动表达了对SiC的支持。

  碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性高等诸多优点，是具有广阔发展的潜在能力的第三代新型半导体材料。

  第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被 称为宽禁带半导体材料。

  此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术。

  业内周知，功率SiC IDM 仍是其主流商业模式，而6英寸是龙头厂商的主流SiC晶圆尺寸。在供不用求的刺激下，行业内已有多家公司基于这一成熟平台有多种产能扩张计划。

  功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场顶级规模，晶体管又细分为IGBT、MOSFET、双极型晶体管等。功率器件是指体积较大，用来处理较大功率、大电压的产品，IGBT属于功率器件的一类产品。

  NexGen认为，将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场能够在一定程度上帮助汽车制造商提高续航能力、减轻重量并提高系统可靠性。

  国内主要的碳化硅衬底供应商包括天岳先进、天科合达、烁科晶体、东尼电子和河北同光等。三安光电走IDM路线，覆盖衬底、外延、芯片、封装等环节。部分厂商还自研单晶炉设备及外延片等产品。

  据了解，三安半导体与朗明纳斯均为三安光电集团的子公司，2013年，三安光电收购了朗明纳斯100%股权。

  早期，二极管封装重点是为满足基本的功能性和稳定能力。SMB(DO-214AA ) 和 SMC(DO-214AB) 封装形式，作为行业的早期标准，为电子科技类产品提供了可靠和经济的解决方案。

  基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。